长期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,El,欠佳检测,2手,旧,工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,层压板,无界限结晶硅,多晶硅,单晶硅,试验板,负债还款,返修,太阳能发电控制模块收购等。
四、色调偏色
1、多晶硅片:单个充电电池的色调匀称相同,色调的范畴从深蓝色刚开始,
经暗蓝色、鲜红色、棕褐色、到深褐色中间容许相仿色的偏色(深蓝色和暗蓝色存有单个充电电池上,但不容许跳色),行为主体色调为暗蓝色,单个充电电池容许二种色调。2、多晶硅电池片:同一整片电池片色调匀称相同,色调范畴中沒有深褐色,别的同多晶级的辨别。新的规范:片式上匀称相同的不一样色调的电池片,依照淡蓝色、深蓝色、鲜红色几种开展归类。
B级
1、多晶硅片:单个充电电池色调不匀称,容许存有跳色偏色,数跳1个相仿色(比如:鲜红色和深褐色存有于单个充电电池上),行为主体色调为深蓝色-鲜红色范畴,单个充电电池个容许存有几种色调。
2、多晶硅电池片:与多晶电池片对比,只少了行为主体色调,别的同多晶B级的辨别。新的规范:与旧规范同样
C级
1.多晶硅片:同一整片充电电池容许色调不匀称(深蓝色-暗蓝色-鲜红色-棕褐色-深褐色)容许存有跳色偏色,以电池片上能够有≥2个相仿色。
2.多晶硅电池片:与多晶电池片对比,色调范畴中少了深褐色,其他同多晶C级的辨别。新的规范:与旧规范同样注:当片式上为匀称相同获得不一样色调,判为,但需依照淡蓝色、深蓝色、鲜红色几种开展单测单包。
长期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,El,欠佳检测,2手,旧,工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,层压板,无界限结晶硅,多晶硅,单晶硅,试验板,负债还款,返修,太阳能发电控制模块收购等。
九、崩边、豁口、掉角
充电电池边沿崩边喝豁口
其长短≤3mm,深度1≤0.5mm,总数≤2处
B级:其长短≤5mm,深度1≤1.0mm,总数≤3处
四边豁口
规格≤1.5*1.5mm,总数≤1处
B级:规格≤2.0*2.0mm,总数≤1处
注:多晶硅1级和B级均不容许有三边形豁口和锐利行豁口,左右豁口都不能过电级(主栅线,副栅线)
超出B级范畴
多晶硅电池片超出了B级范畴,就立即做为缺点片。
多晶电池片超出了B级范畴,如合乎C级需切角片的规定,能作C级需切角片多
经容许边缘有豁口(包含三边形豁口和锐利行豁口),对边缘豁口听规定给出
125任意边缘破损≤18*18mm
150任意边缘破损≤8*8mm
156任意边缘破损≤14*14mm注:多晶电池片超过了C级片的规定,做为缺点片。粉碎,无运用使用价值的做为报费片新的规范与旧的同样。
电池片的检验
一十三、印刷图型
主栅线:
1级:主栅线容许有轻度断开、缺少、歪曲、突显,断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的5%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄)
新的规范:主栅大小匀称,不容许有断开,缺少、歪曲及其突显。
B级:断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的10%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄)
新的规范:主栅大小匀称,容许有断开,缺少总面积不超出主栅线总面积的5%,歪曲突显不超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄)
C级:断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的20%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况
新的规范:主栅线:断开,缺少总面积不超出主栅线总面积的20%,歪曲、突显不超出一切正常部位的0.5mm,
副栅线:
1级:副栅线容许大小不匀称,存有总宽超过0.13mm,低于18mm的副栅线,段栅线≤6条,断开间距≤2mm,容许有轻度虚印、缺印,总面积低于电级占地面积的5%.
新的规范:副栅线清楚,容许有两根栅线存有断开,断掉总数≤3条,断掉间距≤0.5mm;不容许有一切虚印、粗点;不容许有掉色状况。
B级:容许大小不匀称,存有总宽≤0.25mm的副栅线,段栅线≤10条,断开间距≤2mm,容许有轻度虚印、缺印,总面积低于电级占地面积的10%.
常年采购:回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,债务偿还,返工,光伏模块回收等。
刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净,避免 PN 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应, 采用高频辉光放电反应,使反应气体成活性粒子,如原子或各种游离基,这些活性粒子扩散到硅片边缘,在那里与硅进行反应,形成挥发性生成物而被去除。
化学公式: CF 4 +SIO 2 =SIF 4 +CO 2
工艺流程
预抽,主抽,送气,辉光,抽空,清洗,预抽,主抽 ,充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高:等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤,导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低:会使等离子体不稳定和分布不均匀,从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足,导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长:刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区,从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短:刻蚀不充分,没有把边缘鳞去干净, PN 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大,气体含量越少,参与反应的气体也越多,刻蚀也越充份。
以上信息由专业从事收购光伏组件厂的苏州亿韵汇光伏于2023/4/20 9:35:47发布
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